Epitaxial wafer and method for manufacturing same

WO2013057887 Art A1 25. April 2013

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2013057887
Aktenzeichen
EP12842405
Anmeldetag
2. Oktober 2012
Veröffentlichung
25. April 2013
Rechtsraum
WO
IPC
H01L27/146H01L21/20H01L21/322H01L27/148
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen