Semiconductor device and manufacturing method therefor

WO2013058191 Art A1 25. April 2013

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013058191
Aktenzeichen: EP12842184
Anmeldetag: 12. Oktober 2012
Veröffentlichung: 25. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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