Chip diode and diode package

WO2013058232 Art A1 25. April 2013

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2013058232
Aktenzeichen
EP12841567
Anmeldetag
16. Oktober 2012
Veröffentlichung
25. April 2013
Rechtsraum
WO
IPC
H01L29/861H01L23/28H01L29/06H01L29/868
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Rohm Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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