Stabilization of resistive memory

WO2013059047 Art A1 25. April 2013

Anmelder: Micron Technology, Inc., Chen, Xiaonan 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013059047
Aktenzeichen: EP12840907
Anmeldetag: 10. Oktober 2012
Veröffentlichung: 25. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G11C13/00G11C16/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Micron Technology, Inc.
Chen, Xiaonan
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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