Storage material based on silicon doped bismuth-tellurium for phase-changing storage devices and preparation method therefor

WO2013060034 Art A1 2. Mai 2013

Anmelder: Huazhong University of Science and Technology, Ju, Chen 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013060034
Aktenzeichen: EP11874692
Anmeldetag: 2. November 2011
Veröffentlichung: 2. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00C22C12/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Huazhong University of Science and Technology
Ju, Chen
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Huazhong University of Science and Technology

Die Huazhong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit Sitz in Wuhan und breiter technischer sowie medizinischer Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software und Medizintechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

623 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von