Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
WO2013061702
Art A1
2. Mai 2013
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013061702
- Aktenzeichen
- EP12842854
- Anmeldetag
- 11. September 2012
- Veröffentlichung
- 2. Mai 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/20H01L21/336H01L29/12H01L29/417
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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