3d interconnect structure comprising through-silicon vias combined with fine pitch backside metal redistribution lines fabricated using a dual damascene type approach

WO2013062590 Art A1 2. Mai 2013

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013062590
Aktenzeichen: EP11874515
Anmeldetag: 28. Oktober 2011
Veröffentlichung: 2. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/48H01L21/60H01L23/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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