Treatments for decreasing etch rates after flowable deposition of silicon-carbon-and-nitrogen-containing layers

WO2013062756 Art A1 2. Mai 2013

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013062756
Aktenzeichen: EP12843790
Anmeldetag: 9. Oktober 2012
Veröffentlichung: 2. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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