Process chamber for etching low k and other dielectric films
WO2013062831
Art A2
2. Mai 2013
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013062831
- Aktenzeichen
- EP12843004
- Anmeldetag
- 17. Oktober 2012
- Veröffentlichung
- 2. Mai 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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