Low energy etch process for nitrogen-containing dielectric layer

WO2013063179 Art A1 2. Mai 2013

Anmelder: International Business Machines Corporation, Zeon Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013063179
Aktenzeichen: EP12843860
Anmeldetag: 25. Oktober 2012
Veröffentlichung: 2. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: International Business Machines Corporation
Zeon Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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🇯🇵 Zeon

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Zeon Corporation entwickelt synthetische Kautschuke, Spezialchemikalien und Elastomere für Anwendungen in Automobil-, Elektronik- und Batterieindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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