Method for forming resistive switching memory elements with improved switching behavior

WO2013063617 Art A1 2. Mai 2013

Anmelder: Intermolecular, Inc., Kabushiki Kaisha Toshiba, SanDisk 3D LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013063617
Aktenzeichen: EP12844501
Anmeldetag: 2. November 2012
Veröffentlichung: 2. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/469

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Intermolecular, Inc.
Kabushiki Kaisha Toshiba
SanDisk 3D LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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