Tunneling field effect transistor structure and forming method thereof

WO2013063975 Art A1 10. Mai 2013

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013063975
Aktenzeichen: EP12845981
Anmeldetag: 28. August 2012
Veröffentlichung: 10. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/10H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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