Method for manufacturing resistive random access storage unit

WO2013064021 Art A1 10. Mai 2013

Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2013064021
Aktenzeichen
EP12846623
Anmeldetag
22. Oktober 2012
Veröffentlichung
10. Mai 2013
Rechtsraum
WO
IPC
H01L45/00H01L27/24G11C13/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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