Verfahren zur Herstellung eines Optoelektronischen Halbleiterbauteils und Optoelektronischer Halbleiterlaser
WO2013064306
Art A1
10. Mai 2013
Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013064306
- Aktenzeichen
- EP12774952
- Anmeldetag
- 19. September 2012
- Veröffentlichung
- 10. Mai 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01S5/028
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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