N-type semiconductor comprising amorphous silicon carbide doped with nitrogen, and process for producing n-type semiconductor element

WO2013065315 Art A1 10. Mai 2013

Anmelder: Yamaguchi University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013065315
Aktenzeichen: EP12845941
Anmeldetag: 1. November 2012
Veröffentlichung: 10. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/42

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Yamaguchi University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Yamaguchi University

Die Yamaguchi University ist eine japanische staatliche Universität. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Pharma und Medizintechnik, ergänzt um organische Chemie, Halbleiter- und Messtechnik sowie Verfahrenstechnik. Die Anmeldungen decken ein breites Spektrum von Geopolymer-Baustoffen bis zu Halbleitermaterialien wie Galliumoxid ab.

250 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von