Nitride semiconductor light emitting element, and method for manufacturing nitride semiconductor light emitting element
WO2013065381
Art A1
10. Mai 2013
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013065381
- Aktenzeichen
- EP12846206
- Anmeldetag
- 13. August 2012
- Veröffentlichung
- 10. Mai 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/32H01S5/343
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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