Charge injection and drain-based electrical overstress (eos) protection apparatus and method

WO2013066338 Art A1 10. Mai 2013

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013066338
Aktenzeichen: EP11875060
Anmeldetag: 3. November 2011
Veröffentlichung: 10. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G05F1/20G06F19/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Software & Datenverarbeitung Steuerungs- & Regelungstechnik

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