Memory cell that employs a selectively fabricated carbon nano-tube reversible resistance-switching element and methods of forming the same

WO2013066496 Art A1 10. Mai 2013

Anmelder: SanDisk 3D LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013066496
Aktenzeichen: EP12772165
Anmeldetag: 11. September 2012
Veröffentlichung: 10. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/24H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk 3D LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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