Memory Cell Sensing

WO2013066656 Art A1 10. Mai 2013

Anmelder: Micron Technology, Inc., Kavalipurapu, Kalyan C., Park, Jae-Kwan 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013066656
Aktenzeichen: EP12845484
Anmeldetag: 22. Oktober 2012
Veröffentlichung: 10. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/34G11C16/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Micron Technology, Inc.
Kavalipurapu, Kalyan C.
Park, Jae-Kwan
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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