Epitaxial Film Growth in Retrograde Wells For Semiconductor Devices
WO2013067212
Art A1
10. Mai 2013
Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013067212
- Aktenzeichen
- EP12846032
- Anmeldetag
- 1. November 2012
- Veröffentlichung
- 10. Mai 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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