Tunnel magnetoresistive effect element and random access memory using same
WO2013069091
Art A1
16. Mai 2013
Anmelder: Tohoku University, Hitachi, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013069091
- Aktenzeichen
- EP11875587
- Anmeldetag
- 8. November 2011
- Veröffentlichung
- 16. Mai 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8246H01L27/105H01L43/08H01L43/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Tohoku University
Hitachi, Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
2.166 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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