System, method and apparatus for plasma sheath voltage control

WO2013070472 Art A2 16. Mai 2013

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013070472
Aktenzeichen: EP12847733
Anmeldetag: 31. Oktober 2012
Veröffentlichung: 16. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065C23F1/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von