Silicon carbide substrate, semiconductor device and methods for producing same

WO2013073216 Art A1 23. Mai 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013073216
Aktenzeichen: EP12848926
Anmeldetag: 9. Mai 2012
Veröffentlichung: 23. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36H01L21/02H01L21/20H01L21/205H01L21/265H01L21/336H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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