Field-effect transistor and method of manufacturing thereof

WO2013073315 Art A1 23. Mai 2013

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013073315
Aktenzeichen: EP12849335
Anmeldetag: 5. Oktober 2012
Veröffentlichung: 23. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L21/28H01L21/283H01L21/318H01L21/336H01L29/423H01L29/49H01L29/778H01L29/78H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.803 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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