Treatment method and template for substrate

WO2013073339 Art A1 23. Mai 2013

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013073339
Aktenzeichen: EP12850695
Anmeldetag: 22. Oktober 2012
Veröffentlichung: 23. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C25D5/02C23F1/02C25D7/12H01L21/288H01L21/3205H01L21/60H01L21/768H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.253 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von