Laminated structure, ferroelectric gate thin film transistor, and ferroelectric thin film capacitor

WO2013073347 Art A1 23. Mai 2013

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013073347
Aktenzeichen: EP12850513
Anmeldetag: 23. Oktober 2012
Veröffentlichung: 23. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246C01G29/00C01G35/00H01L21/28H01L21/283H01L21/316H01L21/336H01L21/368H01L21/822H01L27/04H01L27/105H01L29/423H01L29/49H01L29/786H01L29/788H01L29/792H01L41/09H01L41/18H01L41/22H01L41/39

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Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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