Method for producing silicon carbide single crystals

WO2013073534 Art A1 23. Mai 2013

Anmelder: Ibiden Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013073534
Aktenzeichen: EP12849773
Anmeldetag: 13. November 2012
Veröffentlichung: 23. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C23C16/42C23C16/455C30B25/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Ibiden Co., Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Ibiden

Ibiden ist ein japanischer Hersteller elektronischer Materialien mit Sitz in Ogaki, spezialisiert auf IC-Substrate für Halbleiter sowie Keramikprodukte für die Automobil- und Elektronikindustrie.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von