Thin-film transistor and manufacturing method for thin-film transistor

WO2013073601 Art A1 23. Mai 2013

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013073601
Aktenzeichen: EP12848887
Anmeldetag: 15. November 2012
Veröffentlichung: 23. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/28H01L21/316H01L21/336H01L21/368H01L29/423H01L29/49

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Anmelder

Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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