Resistance Random Access Memory Unit

WO2013075416 Art A1 30. Mai 2013

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013075416
Aktenzeichen: EP12851329
Anmeldetag: 22. Februar 2012
Veröffentlichung: 30. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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