Defect inspection method and device for same

WO2013077125 Art A1 30. Mai 2013

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013077125
Aktenzeichen: EP12851540
Anmeldetag: 22. Oktober 2012
Veröffentlichung: 30. Mai 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G01N21/956H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

3.840 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von