Memory device, memory array and manufacturing method thereof

WO2013078791 Art A1 6. Juni 2013

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013078791
Aktenzeichen: EP12854011
Anmeldetag: 2. März 2012
Veröffentlichung: 6. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00H01L27/24G11C13/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

Peking University ist eine chinesische Eliteuniversität in Peking mit breiter Forschung und Patenten in zahlreichen Technologiefeldern, unter anderem Biotechnologie und Materialwissenschaften.

639 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von