Siliciumcarbid-Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

WO2013080679 Art A1 6. Juni 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013080679
Aktenzeichen: EP12854235
Anmeldetag: 11. Oktober 2012
Veröffentlichung: 6. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/12H01L21/336H01L21/337H01L21/338H01L27/04H01L29/78H01L29/808H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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