Resist-underlayer-film-forming composition used in multilayer resist process, resist underlayer film, method for forming same, and pattern-formation method
WO2013080929
Art A1
6. Juni 2013
Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013080929
- Aktenzeichen
- EP12854382
- Anmeldetag
- 26. November 2012
- Veröffentlichung
- 6. Juni 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/11C08G65/40G03F7/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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