Method for separating epitaxial layer from growth substrate

WO2013081348 Art A1 6. Juni 2013

Anmelder: Seoul Viosys Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013081348
Aktenzeichen: EP12852918
Anmeldetag: 27. November 2012
Veröffentlichung: 6. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/12H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seoul Viosys Co., Ltd.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul Viosys Co., Ltd.

Seoul Viosys ist ein südkoreanischer Hersteller von LED-Chips und optoelektronischen Bauteilen, eine Tochtergesellschaft von Seoul Semiconductor, dessen Patente LED-Technologie betreffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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