Simulation calculation method for etching morphology of copper target in magnetron sputtering equipment

WO2013082738 Art A1 13. Juni 2013

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013082738
Aktenzeichen: EP11876969
Anmeldetag: 9. Dezember 2011
Veröffentlichung: 13. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G06F17/50H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

1.696 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

Vertreten von