Method for manufacturing chromium sidewall attenuation type phase-shifting mask used in euv lithography

WO2013082800 Art A1 13. Juni 2013

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013082800
Aktenzeichen: EP11877123
Anmeldetag: 9. Dezember 2011
Veröffentlichung: 13. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G03F1/32G03F1/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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