Normally-off high electron mobility transistor and integrated circuit

WO2013084020 Art A1 13. Juni 2013

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013084020
Aktenzeichen: EP11817534
Anmeldetag: 9. Dezember 2011
Veröffentlichung: 13. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/10H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

2.392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von