Semiconductor on insulator structure with improved electrical characteristics

WO2013084035 Art A1 13. Juni 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013084035
Aktenzeichen: EP12794470
Anmeldetag: 13. November 2012
Veröffentlichung: 13. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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