Forming thick metal layers on a semiconductor light emitting device

WO2013084155 Art A1 13. Juni 2013

Anmelder: Koninklijke Philips N.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013084155
Aktenzeichen: EP12818586
Anmeldetag: 5. Dezember 2012
Veröffentlichung: 13. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L33/62

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Koninklijke Philips N.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 Philips

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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