Method for evaluating silicon single crystal and method for producing silicon single crystal
WO2013084410
Art A1
13. Juni 2013
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013084410
- Aktenzeichen
- EP12856109
- Anmeldetag
- 12. November 2012
- Veröffentlichung
- 13. Juni 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.022 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.