Nitride semiconductor light-emitting element and method for producing same

WO2013084926 Art A1 13. Juni 2013

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, Yamaguchi University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013084926
Aktenzeichen: EP12854931
Anmeldetag: 5. Dezember 2012
Veröffentlichung: 13. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/32H01L33/06H01L33/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sharp Kabushiki Kaisha
Yamaguchi University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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🇯🇵 Yamaguchi University

Die Yamaguchi University ist eine japanische staatliche Universität. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Pharma und Medizintechnik, ergänzt um organische Chemie, Halbleiter- und Messtechnik sowie Verfahrenstechnik. Die Anmeldungen decken ein breites Spektrum von Geopolymer-Baustoffen bis zu Halbleitermaterialien wie Galliumoxid ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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