Method for manufacturing silicon substrate having textured structure
WO2013084986
Art A1
13. Juni 2013
Anmelder: Tokuyama Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013084986
- Aktenzeichen
- EP12855436
- Anmeldetag
- 6. Dezember 2012
- Veröffentlichung
- 13. Juni 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/306H01L21/3065H01L21/308H01L31/04H01L33/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokuyama Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokuyama
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.
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