Interlayer dielectric for non-planar transistors

WO2013085490 Art A1 13. Juni 2013

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013085490
Aktenzeichen: EP11877069
Anmeldetag: 6. Dezember 2011
Veröffentlichung: 13. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.633 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von