Method for forming superactive deactivation-resistant junctions with laser anneal and multiple implants

WO2013085536 Art A1 13. Juni 2013

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013085536
Aktenzeichen: EP11876964
Anmeldetag: 9. Dezember 2011
Veröffentlichung: 13. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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