Antifuse-based memory cells having multiple memory states and methods of forming the same

WO2013085815 Art A1 13. Juni 2013

Anmelder: SanDisk 3D LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013085815
Aktenzeichen: EP12808971
Anmeldetag: 30. November 2012
Veröffentlichung: 13. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L49/02G11C17/16G11C11/56H01L27/102H01L27/10H01L23/525G11C17/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk 3D LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

308 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von