Deposition system having a reaction chamber configured for in situ metrology and related method

WO2013088213 Art A1 20. Juni 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013088213
Aktenzeichen: EP12794471
Anmeldetag: 12. November 2012
Veröffentlichung: 20. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/48C23C16/52C23C16/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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