Process for stabilizing a bonding interface, located within a structure which comprises an oxide layer and structure obtained

WO2013088226 Art A1 20. Juni 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013088226
Aktenzeichen: EP12818566
Anmeldetag: 13. Dezember 2012
Veröffentlichung: 20. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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