Method for producing and method for inspecting polycrystalline silicon wafer and application thereof

WO2013088778 Art A1 20. Juni 2013

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013088778
Aktenzeichen: EP12858011
Anmeldetag: 6. August 2012
Veröffentlichung: 20. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66G01N21/956H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.803 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von