Cleaning agent and method for producing silicon carbide single-crystal substrate
WO2013088928
Art A1
20. Juni 2013
Anmelder: Asahi Glass Company, Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013088928
- Aktenzeichen
- EP12858245
- Anmeldetag
- 21. November 2012
- Veröffentlichung
- 20. Juni 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C11D7/26H01L21/304
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Asahi Glass Company, Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
AGC (Asahi Glass)
Japanischer Glas- und Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, früher als Asahi Glass Company firmierend. AGC entwickelt Flachglas, elektronische Materialien, Spezialchemikalien sowie Glasprodukte für Automobil-, Bau- und Elektronikindustrie.
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