Composition for forming resist underlayer film and method for forming resist pattern using same

WO2013088931 Art A1 20. Juni 2013

Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013088931
Aktenzeichen: EP12857648
Anmeldetag: 21. November 2012
Veröffentlichung: 20. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08G65/40H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissan Chemical Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von